http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150730_714157.html
- NANDフラッシュメモリに比べて1,000倍も高速
- DRAMに比べて10倍も記憶密度が高い
- NANDフラッシュメモリに比べて書き換え寿命が1,000倍も長い
これだけ見ると、もの凄いブレークスルー技術だと錯覚しそうになるが、記者会見のビデオと発表資料を精査すると、違った側面が見えてくる。例えば以下のようなものだ。
- DRAMに比べると動作速度は遅く、読み出し速度はNANDフラッシュメモリとあまり変わらない
- NANDフラッシュメモリに比べると記憶密度は低い
- DRAMに比べると書き換え寿命は、はるかに短い
めも、未検証
Optane SSD
http://ascii.jp/elem/000/001/214/1214702/
http://ascii.jp/elem/000/001/656/1656628/index-2.html
記憶素子はPCM、相変化メモリーと呼ばれるものだ。スライドにもあるように、Ge(ゲルマニウム)とSb(アンチモン)、Te(テルル)という3種類の元素を混ぜ合わせたもので、カルコゲナイド合金と呼ばれる。
このカルコゲナイド合金には、加熱/冷却の仕方を変えることで結晶相(結晶状態：抵抗値が低い)とアモルファス相(*1)を行き来するという特徴があり、この抵抗値の差を利用してデータを記録しようというものだ。
OTSはというと、前述の16bitの記憶素子の図で言えばA0〜A3に入るスイッチの役割を果たすものだ。ここに使われている仕組みはPCMと少し似ており、Se、As(砒素)、Ge、Si(シリコン)の合金である。ただこちらはPCMと振る舞いは異なり、別に加熱/冷却はしない。OTSの場合、電圧をほとんどかけない状態ではアモルファス相(つまり高抵抗)なのだが、だんだん電圧を上げていき、あるしきい値(スレッショルド電圧)を超えると突如合金状態(つまり低抵抗)になり、電流がガンと流れることになる。おもしろいのは、電圧を切ると再びアモルファス相に戻ることで、読み書きしたい時だけ電圧をかければオンになるという便利な仕組みだ。
