http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20121127_575343.html
入出力インターフェイスがDDR3 SDRAMと互換のインターフェイスに変更された。
(中略)
DRAMがキャッシュの場合はSSDの電源を切るときに、DRAM内部のデータをSSDのストレージ部分、すなわちNANDフラッシュメモリに素早く格納しなければならない。このためデータ格納を完了するまで電源電圧を維持するための工夫が必要となる。MRAMあるいはSTT-RAMをキャッシュメモリにすると、キャッシュにデータを残したままで電源を切れる。電源電圧を維持するための回路や部品などが不要になるので、設計が簡素になる。
(中略)
パッケージはDDR3 SDRAMと互換のファインピッチBGAである。また電源電圧は1.5Vで、これもDDR3と同じにしてある。
(中略)
東芝と韓国SK HynixのSTT-RAM共同開発プロジェクトでは、最初の製品(シリコンダイベース)の容量を4Gbitとしている。東芝らが考えているサンプル出荷の時期は、2013年末が目標である。
めも、未検証
